Simulation of ion implantation for Si using TCAD

Simulation of ion implantation for Si using TCAD

 

To realize further high performance in semiconductor devices, the development of efficient processes and a reduction in the number of trial productions are indispensable. Therefore, the orientation of development plans and a reduction in trial production by using TCAD (Technology Computer Aided Design) are expected. In this study, the simulation of ion implantation for Si using TCAD were performed. Especially, the distribution of the impurity in Si was changed from deep to shallow area with the increase of tilt angle of ion implantation.

 

За да се реализира допълнително висока производителност в полупроводникови устройства, развитието на ефективни процеси и намаляване на броя на пробните продукции са незаменими. Затова се очаква ориентацията на планове за развитие и намаляване на производството изпитание с помощта TCAD (Technology Computer Aided Design). В това проучване, са извършени симулации на имплантацията на йони в Si, използвайки TCAD. По-специално, разпределението на примесите в Si бе променено от дълбока на плитка зона с увеличаването на ъгъла на наклона на имплантация на йони.

 

Download PDF full text